Сенин Юрий Петрович : другие произведения.

Об электрической ёмкости конденсатора

Самиздат: [Регистрация] [Найти] [Рейтинги] [Обсуждения] [Новинки] [Обзоры] [Помощь|Техвопросы]
Ссылки:
 Ваша оценка:
  • Аннотация:
    Представление об электрической ёмкости, как вместилище зарядов, в науке устоялось и в основных чертах правильно для электростатики. В электродинамике ситуация другая, так как количество электрических зарядов в электрической цепи постоянно и оба вида зарядов находятся в равновесном
  Об электрической ёмкости конденсатора.
  Сенин Юрий Петрович.
  
  Представление об электрической ёмкости, как вместилище зарядов, в науке устоялось и в основных чертах правильно для электростатики. В электродинамике ситуация другая, так как количество электрических зарядов в электрической цепи постоянно и оба вида зарядов находятся в равновесном состоянии. В этой статье рассмотрены процессы, происходящие в электрическом конденсаторе, который является элементом электрической цепи. При рассмотрении этих процессов используется концепция спинового взаимодействия электронов проводимости со структурными элементами светоносной среды.
  С концепцией спинового взаимодействия электронов проводимости со структурными элементами светоносной среды можно познакомиться в статьях по ссылкам:
  New-idea.kulichki.net/pubfiles/110415191133.doc
  New-idea.kulichki.net/pubfiles/110414204108.doc
  New-idea.kulichki.net/pubfiles/141119180005.doc
  В указанных статьях прояснилось, что для большинства проявлений электрического тока достаточно упорядоченной ориентации спинов электронов проводимости. В электрических конденсаторах главенствуют электрические силы притяжения между положительными зарядами на одной обкладке и отрицательными зарядами на другой. Для обеспечения возможности электрического взаимодействия зарядов в конденсаторе необходимо создать избыток электронов проводимости на одной из обкладок, и соответсвующий недостаток на другой обкладке.
   Для создания зарядовой неравновесности на обкладках конденсатора необходимо переместить часть электронов проводимости с одной обкладки на другую. Неравновесное (избыточное) количество электронов проводимости на одной из обкладок по отношению к их количеству в равновесном состоянии определяет величину заряда конденсатора. Перемещение отрицательных зарядов с одной обкладки на другую производит источник электричества.
   Электрические силы, действующие между избыточными электронами одной обкладки и атомными ядрами ионизированных атомов другой, являются функцией количества избыточных отрицательных зарядов, расстояния между обкладками и материала диэлектрика, расположенного между обкладками.
   Противоположно заряженные частицы на обкладках с неравновесным состоянием зарядов притягиваются друг к другу мощными зарядовыми силами (через диэлектрик) и поляризуют атомы диэлектрика, образуя силовой канал в диэлектрике. В результате этих взаимодействий образуются нетипичные электрические диполи, расстояние между зарядами которых равно толщине диэлектрика. Понятно, что с уменьшением толщины диэлектрика силы притяжения между зарядами возрастают. Это обусловлено тем, что при уменьшении толщины диэлектрика направление электрических осей избыточных электронов будет стремиться к нормали на поверхность раздела металл - диэлектрик
  Электрические заряды в нетипичном диполе в значительной степени скомпенсированы. Состояние скомпенсированности зарядов будет возрастать с уменьшением толщины диэлектрика. Максимальное количество нетипичных диполей на обкладках равно количеству атомов, содержащихся на плоскости положительной обкладки прилегающей к диэлектрику..
   После образования максимального количества нетипичных диполей на отрицательной обкладке начнёт расти количество электронов проводимости, которые не могут быть скомпенированы. Электрическим силам, действующим между избыточными электронами на отрицательной обкладке, можно поставить в соответствие электрическое давление. На обкладке с избытком электронов проводимости будет повышенное (относительно равновесного состояния) электрическое давление, а на обкладке с недостатком электронов проводимости равное по модулю пониженное электрическое давление.
   Неравновесное состояние на обкладках конденсатора создаётся генератором тока. Следовательно, должны существовать силы, которые сообщают электронам проводимости поступательное однонаправленное движение. Магнитные и электрические силы для этого не подходят, так как магнитные силы нормальны к направлению движения, а электрические силы симметричны относительно центра масс электрона. Хорошо известно, что скорости дрейфа токовых электронов весьма малы, следовательно, малы и силы порождающие дрейф этих электронов. Эти силы предстоит открыть.
   При разряде конденсатора избыточные электроны проводимости выталкиваются из обкладки c избыточным электрическим давлением в электрическую сеть и притягиваются из электрической сети на обкладку с пониженным электрическим давлением. Этот процесс заканчивается при достижении равновесного состояния.
  Зарядовые силы притяжения, действующие в нетипичных диполях, ориентируют спины дипольных электронов ортогонально к поверхности раздела: металл - диэлектрик, поэтому спины этих электронов будут параллельны. Параллельность спинов дипольных электронов порождает магнитный поток в плоскости раздела и магнитно-реактивные силы, стабилизирующие упорядоченную ориентацию дипольных электронов.
  Упорядоченное магнитное силовое влияние, которое должно действовать в плоскости отрицательной обкладки, будет легче обнаружено, если обкладку выполнить из ферромагнетика. Проведение такого опыта подтвердит физическую корректность используемой концепции магнетизма.
  
  Пробой конденсатора.
  Электрическое давление на обкладке с избытком электронов проводимости вдавливает дипольные электроны в поляризованные атомы диэлектрика. При определённой (пороговой) величине электрического давления один из этих электронов своим притяжением извлечёт из ближайшего протона атомного ядра избыточный позитрон и неизбежно произойдёт аннигиляция электрона с позитроном. Этому способствует то, что один из дипольных электронов и электроны соответствующей атомной электронной оболочки боковыми сторонами взаимодействуют магнитно, т.е. в этом направлении зарядовые силы отталкивания не действуют, так как они задействованы для формирования магнитных вихрей.
  Аннигиляция электрон - позитронной пары порождает следующие процессы:
  - Протон атомного ядра поляризованного атома диэлектрика, теряя позитрон, превращяется в нейтрон.
  - Атомное ядро, в результате нуклонной мутации превращается в атом другого химического элемента.
  - Один из электронов электронной оболочки атома покидает атом.
  - В образовавшуюся энергетическую нишу врывается следующий избыточный электрон. Он внедряется в электронную оболочку следующего ионизированного атома и т.д.
  - При аннигиляции рождаются гамма-кванты. Разлетаясь от точки рождения, они сокрушают электронные оболочки соседних атомов.
  Возможность процесса аннигиляции электрон - позитронной пары при электрическом пробое конденсатора доказывается обнаружением гамма-квантов, или химическим анализом материала диэлектрика, взятого из места электрического пробоя.
   Представляет интерес исследование пробоя при воздействии на обкладки конденсатора внешней статической силы или импульса силы, приложенного к обкладкам в момент пробоя. Внешняя сила будет деформировать электронные оболочки атомов в плоскости контакта металл - диэлектрик, создавая условия для пробоя.
   Выводы.
  - В конденсаторе определяющими являются зарядовые силы притяжения, действующие между электронами одной обкладки и протонами атомных ядер ионизированных атомов другой обкладки.
  - Частицы, имеющие противоположные по знаку заряды, образуют нетипичные диполи. Заряды диполя в наибольшей степени скомпенсированы, т.е. зарядовые силы замкнуты друг на друга.
  - Электроны проводимости, вследствие притяжения к поляризованным атомам диэлектрика, ориентируют свои спины, в среднем, ортогонально поверхности раздела: металл - диэлектрик.
  - Упорядоченная ориентация спинов дипольных электронов порождает в обкладке магнитное силовое влияние в плоскости контакта: металл - диэлектрик.
  
  Вариант от 14.08.13.
  
  
 Ваша оценка:
Связаться с программистом сайта.

Новые книги авторов СИ, вышедшие из печати:
О.Болдырева "Крадуш. Чужие души" М.Николаев "Вторжение на Землю"

Как попасть в этoт список
Сайт - "Художники" .. || .. Доска об'явлений "Книги"